长石研究第一期:汽车功率半导体行业简报

 

 

 汽车功率半导体  

 

 

1.功率半导体原理 

 

  • 电力电子系统:控制电路发出控制信号(PWM脉冲),经驱动电路放大后,控制功率半导体的开通与关断,从而实现主电路的变频,变压,逆变,整流等电力转换功能,为负载提供适合的电源。

  • 二极管、MOSFET、IGBT等不同类型的功率半导体满足不同的功率、频率性能指标,对应特定的下游应用场景;IGBT更适用于大功率场景(高压、大电流、高速),工作电压范围在600V到6500V之间。

功率半导体技术原理图

 

各类型功率半导体应用领域

 

 

 2.功率半导体分类 

 

产品形态:

  • IGBT芯片(单管)=MOSFET+BJT;输入部分采用MOS构造,输出部分采用双极构造(集电极);兼具开关速率快( MOS )和低饱和电压(双极结型晶体管)的特点

  • IGBT模块=IGBT单管+快恢复二极管(FRD) 

  • IPM模块=IGBT模块+驱动IC+保护电路+其他器件

     

数据来源:方正证券研究所

 

 

 

3.功率半导体行业概况

 

(1)市场规模

 

IGBT主要分为模组和分立器件两种产品形式。2019年IGBT分立器件全球市场规模达14.4亿美元,IGBT模组33.1亿美元。2019年全球IGBT各应用领域占比分别为:工业领域占比28%,汽车领域27%,通信15%,消费14% 。

中国IGBT市场规模2016年15.40亿美元,2018年为19.23亿美元,对应复合年均增长率为11.74%。  

源:英飞凌公司官网、中国半导体行业协

 

 

(2)应用场景

 

IGBT是新能源汽车的电驱控制的核心。在新能源汽车中,IGBT主要应用于电机驱动、车载充电器 (OBC)、电空调驱动等环节。IGBT在其中直接控制包括:

  • 逆变:行驶过程,将电池的直流电逆变成为三相交流电,为电机供电。 

  • 整流:充电过程,将220V交流电整流成为直流电,为电池充电。 

  • 变压:变压器功能,实时调控全车电压。

     

以特斯拉Model X为例:

  • 后电机:三相交流异步电机每相用28个IGBT(4排,每排7个塑封IGBT芯片)组成高压驱动半桥(每个半桥包含两个驱动门),累计84个。其他电机12个IGBT,共用96个IGBT。 

  • 前电机:位于前轴的小功率电驱控制器使用36个IGBT芯片,每6个相并联。

     

源:证券研究所

 

(3)产业链

 

  • 上游:芯片/器件的设计:电路、仿真、版图

  • 中游:芯片制造:工艺设计、代工厂深度合作

  • 下游:封装和模块,包括产线、应用理解;车规级的筛选、测试

 

 

(4)市场竞争格局

 

目前,IGBT单管、模块总体国产替代率不到10%。斯达半导体在IGBT模块、士兰微在IPM模块领域实现了国产替代第一步。

 

2019全球IGBT模组市占率前十的企业

 

2019全球IGBT器件市占率前十的企业

源:英飞凌公司官网

 

数据来源:Wind、长石资本整理

 

 

IDM或虚拟IDM模式:比亚迪/中车时代/士兰微为国内仅有的IDM厂商,斯达半导自建封装线。

 

1)中车时代

公司2005年成立,2008年收购英国高功率半导体公司Dynex,在高压IGBT领域打破国外垄断。中车时代IDM模式,2009年投产6吋线,2013年升级为8吋,2017年进入汽车IGBT领域,2020年9月下线国内首条8吋车规级IGBT产线。

 

2)比亚迪

2008年开始研发车规级IGBT,2015年大规模装车。2018年底发布其自研车规级 IGBT4.0技术。车规级IGBT已实现量产多年,技术可靠,目前取得中国车用IGBT市场超过两成的市占率。

 

3)斯达半导

2005年成立,Fabless+模块工厂模式。从英飞凌芯片过渡到自研芯片。国内车规功率模块市场目前排名前五,占市场份额1.6%。在变频器、新能源汽车及逆变电焊机等细分市场领域形成了一定的竞争优势

 

4)士兰微

成立于1997年,2002年投产5/6吋线,2017年投产8吋线;2020年6月,8吋线实现5万片/月;2020年底12吋线投产。IPM模块大规模供应国内白电企业,2020年营收超过4亿元。车规级IGBT正处于测试和小批量生产阶段。

 

 

初创型的Fabless公司

 

1)上海陆芯

2017年成立。目前主营工业IGBT产品,主打焊机市场,产品覆盖650V到1350V电压IGBT单管及模块。

 

2)中科君芯

2013年成立。2016年7月,中芯国际以4900万欧元的价格收购意大利 IGBT 产线LFoundry 70%股权,2019年3月31日1.13亿美元出售给中科君芯(关联的设计公司),中科君芯转型IDM(通产和量产情况未知)

 

3)深圳芯能

成立于2013年。聚焦 600V 和 1200V 中小功率 IGBT 产品,IGBT 单管、IPM、IGBT模块和HVIC四个领域都有完善的产品序列。

 

 

 

 

 

 4.SiC Mos分析

 

SiC MosFet对比硅基IGBT:

  1. SiC器件的工作结温在200℃以上,工作频率在100kHz以上,耐压可达20kV,这些性能都优于传统硅器件;

  2. SiC器件体积可减小到IGBT整机的1/3~1/5,重量可减小到40~60%;

  3. SiC器件还可以提升系统的效率,进一步提高性价比和可靠性。

 

主驱SiC的优势在于开关损耗低,对续航有高要求高端车的会优先在主驱用SiC。汽车行业对成本敏感,现有的SiC的成本注定只能从高端车型切入,SiC短期难普及。SiC成本是IGBT的5-6倍。

 

 

SiC MosFet核心壁垒:

  1. 上游的材料,衬底外延等

  2. 代工能力

 

 

 

综上,需求侧方面,车规级IGBT将会在未来2-5年将会迎来爆发的拐点;供给侧方面,车规级IGBT国产化能力明显不足。我们认为选取标的时,应重点考量团队的量产经验,商业化能力以及和代工厂的配合能力。